揚(yáng)州LED燈具產(chǎn)業(yè)發(fā)展走在國(guó)內(nèi)前沿

自國(guó)度半導(dǎo)體照明工程施行以來(lái)，中國(guó)LED財(cái)產(chǎn)獲得了長(zhǎng)足的開(kāi)展。2008年，全球金融危機(jī)招致下流市場(chǎng)需求疲軟，在必然水平上減緩了中國(guó)LED財(cái)產(chǎn)的開(kāi)展速度。進(jìn)入2009年，跟著國(guó)度不時(shí)出臺(tái)相關(guān)攙扶政策，中國(guó)LED財(cái)產(chǎn)增速企穩(wěn)上升。 2010年，在LED全彩顯示、LED背光源、LED照明等下流使用高速開(kāi)展的拉動(dòng)下，包羅襯底、外延、芯片、封裝在內(nèi)的中國(guó)LED財(cái)產(chǎn)規(guī)劃高速增進(jìn)到 294.6億元，比2009年大幅增進(jìn)33.8%。2006-2010年，中國(guó)LED財(cái)產(chǎn)年均復(fù)合增進(jìn)率到達(dá)18.7%。

　　襯底環(huán)節(jié)仍以低端產(chǎn)物為主，藍(lán)寶石財(cái)產(chǎn)開(kāi)端大規(guī)劃結(jié)構(gòu)

　　近幾年，處于技能以及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)等要素的緣由，相關(guān)于外延、芯片和封裝環(huán)節(jié)，國(guó)內(nèi)襯底財(cái)產(chǎn)開(kāi)展不斷比擬遲緩。2010年，很多藍(lán)寶石襯底項(xiàng)目尚處在投資建立或設(shè)備調(diào)試階段，產(chǎn)能尚未大規(guī)劃釋放，因而中國(guó)LED襯底財(cái)產(chǎn)仍首要以低端產(chǎn)物為主，藍(lán)寶石襯底財(cái)產(chǎn)規(guī)劃有限。2010年中國(guó)襯底環(huán)節(jié)財(cái)產(chǎn)規(guī)劃到達(dá)352.5萬(wàn)平方英寸，同比增進(jìn)34.4%，完成產(chǎn)值1.4億元，比2009年增進(jìn)50.8%。

　　從中國(guó)襯底財(cái)產(chǎn)開(kāi)展?fàn)顩r看，在國(guó)度半導(dǎo)體照明工程、國(guó)度863等嚴(yán)重專項(xiàng)的支撐下，中國(guó)制備紅光、綠光LED用的GaAs/InP/GaP襯底資料技能曾經(jīng)獲得嚴(yán)重發(fā)展。在企業(yè)散布上，中科鎵英，國(guó)瑞電子、上海中科嘉浦、中國(guó)電子科技集團(tuán)第46研討所等企業(yè)曾經(jīng)完成上述產(chǎn)物的批量供給。這些企業(yè)LED襯底產(chǎn)量曾經(jīng)占有中國(guó)全體LED襯底產(chǎn)量的30%左右，然后保證了中國(guó)該類型襯底根本完成自立供給。

　　外延環(huán)節(jié)產(chǎn)能敏捷擴(kuò)張，產(chǎn)物條理逐漸提拔

　　LED外延作為L(zhǎng)ED財(cái)產(chǎn)鏈的中心環(huán)節(jié)，從2009年開(kāi)端，在中國(guó)下流使用市場(chǎng)高速開(kāi)展的帶動(dòng)下，中國(guó)GaNMOCVD數(shù)目開(kāi)端迸發(fā)性增進(jìn)，使得中國(guó)LED外延財(cái)產(chǎn)獲得疾速開(kāi)展。2010年，中國(guó)在產(chǎn)與建成調(diào)試的MOCVD數(shù)目接近300臺(tái)，完成量產(chǎn)的MOCVD數(shù)目超越200臺(tái)。 2010年，中國(guó)LED外延財(cái)產(chǎn)規(guī)劃為12.5億元，比2009年大幅增進(jìn)78.4%。

　　詳細(xì)在產(chǎn)物上，AlGaInP外延(首要使用于紅光LED產(chǎn)物的制備)，因?yàn)樵擃愘Y料發(fā)展機(jī)理以及資料特征不變，使得該類產(chǎn)物發(fā)展技能相對(duì)輕易把握，當(dāng)前國(guó)內(nèi)該種外延產(chǎn)物開(kāi)展也處于搶先位置。因?yàn)锳lGaInP外延下流使用范疇相對(duì)成熟，對(duì)上游外延片增進(jìn)拉動(dòng)較為遲緩，使得 AlGaInP外延片的增速遠(yuǎn)低于GaN外延片的增速。2010年，AlGaInP/AlGaAs/GaAsP/GaP系外延片產(chǎn)量約占全體外延產(chǎn)量的 60.2%，較2009年減小15.8個(gè)百分點(diǎn)。此外，藍(lán)白光LED在景象照明、背光源等范疇使用規(guī)劃疾速擴(kuò)展的推進(jìn)下和國(guó)內(nèi)企業(yè)以及科研院地點(diǎn)資料發(fā)展技能不時(shí)獲得打破的支撐下，2010年，GaN外延片產(chǎn)量約占全體外延產(chǎn)量的39.8%。將來(lái)三年，這一比例還將疾速提拔，估計(jì)2011年中國(guó)GaN外延片的產(chǎn)量將超越AlGaInP外延片。

　　在供需方面，用于通俗亮度紅光LED的外延片曾經(jīng)根本完成自立供給。但是，因?yàn)橥庋悠|(zhì)量直接影響LED芯片的發(fā)亮光度和發(fā)光特征，當(dāng)前，用于制備大功率高亮度紅光LED的高質(zhì)量AlGaInP外延片仍首要從臺(tái)灣及韓國(guó)等地進(jìn)口。此外，因?yàn)閲?guó)內(nèi)GaN外延片供給量較小，且產(chǎn)物質(zhì)量與國(guó)際搶先程度差距分明，因此，國(guó)內(nèi)該類產(chǎn)物也首要依托進(jìn)口。

　　但跟著市場(chǎng)需求的逐漸擴(kuò)展，中國(guó)LED外延財(cái)產(chǎn)疾速開(kāi)展，在原有企業(yè)在積極擴(kuò)大產(chǎn)能的根底上，也不時(shí)有新企業(yè)進(jìn)入該范疇。從企業(yè)投資趨向來(lái)看，一方面原有企業(yè)在現(xiàn)有出產(chǎn)基地的根底長(zhǎng)進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)，另一方面如廈門三安則開(kāi)端在除廈門以外的天津、安徽蕪湖樹(shù)立LED出產(chǎn)企業(yè)，山東海潮華光除了原有在濟(jì)南和濰坊的一廠、二廠以外，2009-2010年也開(kāi)端在濟(jì)南高新區(qū)和臨沂樹(shù)立別的兩個(gè)出產(chǎn)基地。此外，新進(jìn)入企業(yè)也不再僅僅把投資地址選擇在上海、廈門、揚(yáng)州等地域，中國(guó)LED外延片投資出現(xiàn)多處開(kāi)花的場(chǎng)面，而且有從東部和南部沿海城市向北部以及中部城市延長(zhǎng)的趨向。

　　因?yàn)橥庋悠托酒霎a(chǎn)環(huán)節(jié)聯(lián)絡(luò)嚴(yán)密，行業(yè)界的大都企業(yè)在從事芯片出產(chǎn)的還也進(jìn)行外延片產(chǎn)物的出產(chǎn)，從當(dāng)前國(guó)內(nèi)新投資的企業(yè)看，根本上都涵蓋了外延和芯片兩個(gè)環(huán)節(jié)。而關(guān)于外資來(lái)華投資的企業(yè)來(lái)說(shuō)，處于對(duì)技能流掉等要素的思索，初期仍首要以轉(zhuǎn)移芯片出產(chǎn)為主。

出自：http://yuexiangyouli.cn LED老化線